سامسونگ و تولید انبوه اولین حافظه های DDR3 در کلاس ۲۰ نانومتر در جهان

کمپانی مشهور سامسونگ الکترونیک، پیشرو در زمینه ی تولید حافظه در جهان، قصد تولید حافظه های DDR3 در کلاس 20 نانومتر را دارد. این کمپانی از آغاز به کار کردن خط فرآیند 20 نانومتری نیمه هادیها خبر داد، خط تولید بزرگی که در واقع بزرگترین ظرفیت تولید حافظه در جهان است. خبر دیگر شروع به کار کردن خط تولید حافظه های Double Data Rate 3 یا DDR3 بر اسا

نویسنده:

عليرضا شیری



کمپانی مشهور سامسونگ الکترونیک، پیشرو در زمینه ی تولید حافظه در جهان، قصد تولید حافظه های DDR3 در کلاس 20 نانومتر را دارد. این کمپانی از آغاز به کار کردن خط فرآیند 20 نانومتری نیمه هادیها خبر داد، خط تولید بزرگی که در واقع بزرگترین ظرفیت تولید حافظه در جهان است. خبر دیگر شروع به کار کردن خط تولید حافظه های Double Data Rate 3 یا DDR3 بر اسا

کمپانی مشهور سامسونگ الکترونیک، پیشرو در زمینه ی تولید حافظه در جهان، قصد تولید حافظه های DDR3 در کلاس ۲۰ نانومتر را دارد. این کمپانی از آغاز به کار کردن خط فرآیند ۲۰ نانومتری نیمه هادیها خبر داد، خط تولید بزرگی که در واقع بزرگترین ظرفیت تولید حافظه در جهان است. خبر دیگر شروع به کار کردن خط تولید حافظه های Double Data Rate 3 یا DDR3 بر اساس فرآیند ۲۰ نانومتری است. این حافظه ها مصرف انرژی کمتری نسبت به فرآیندهای ضخیم تر دارند و کارایی بیشتری نیز خواهند داشت. این خط تولید در شهر Hwaseong واقع شده است، جایی که خبر افتتاح خط تولید در آن اعلام شده است.

منبع  : گویا آی تی

برای مشاهده کامل مطلب کلیک کنید

اشتراک‌گذاری

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *