چهارشنبه 8 اسفند 1403 – 21:40
سامسونگ از نسل دهم حافظه V-NAND خود با بیش از ۴۰۰ لایه و سرعت ۵/۶ GT/s و فناوری Hybrid Bonding پرده‌برداری کرد.
به گزارش تک‌ناک، سامسونگ در کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد ۲۰۲۵ حافظه V-NAND نسل دهم خود را رونمایی کرد. این حافظه جدید بیش از ۴۰۰ لایه فعال و سرعت رابط ۵/۶ GT/s دارد. علاوه‌بر این، سامسونگ برای نخستین‌بار در این فناوری از معماری Cell-on-Peripheral (CoP) همراه با اتصال Hybrid بهره برده است. این ویژگی‌ها علاوه‌بر افزایش تعداد لایه‌های فعال و بهبود عملکرد، زمینه‌ساز توسعه SSDهای پرسرعت خواهند بود.
بیشتر بسته‌های NAND در SSDها شامل هشت یا شانزده دای هستند. بسته‌ای با شانزده دای می‌تواند تا ۲ ترابایت حافظه ارائه دهد و در SSD یک‌طرفه، چهار بسته از این نوع ظرفیت ۸ ترابایت را فراهم می‌کند. درایو M.2 2280 دوطرفه نیز می‌تواند این ظرفیت را به ۱۶ ترابایت برساند. بااین‌حال، سامسونگ در سال‌های اخیر SSD دوطرفه جدیدی عرضه نکرده است؛ چراکه این محصولات با بیشتر لپ‌تاپ‌های موجود در بازار سازگار نیستند.
برای مشاهده کامل مطب کلیک کنید