به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، گروه پیکوسان (Picosun Group)، ارائهدهنده فناوریهای پیشرو و راهحلهای پوشش و فیلم نازک اعلام کرد که فناوری لایهنشانی اتمی این شرکت کارایی میکرو الایدیها را افزایش میدهد.
در تحقیقات انجام شده توسط دانشگاه ملی یانگ مینگ چیائو تونگ (NYCU) در تایوان، نشان داده شده است که لایهنشانی اتمی (ALD) پیکوسان نقش حیاتی در افزایش ویژگیهای الکترواپتیکی میکرو LEDها ایفا کرده است.
استفاده از فیلمهای دیالکتریک بهعنوان ماده غیرفعالسازی، یک روش محبوب برای سرکوب کردن پیوندهای آزاد و همچنین برای بهبود توان خروجی و راندمان کوانتومی خارجی در LED است. مطالعهای که در NYCU انجام شده که در آن میکرو الایدیهای III-Nitride با اندازههای مختلف با و بدون غیرفعال سازی ALD Al ۲ O ۳ مقایسه شده است. نتایج حاکی از افزایش راندمان کوانتومی ۷۰ درصدی برای میکرو الایدیهای ۵ میکرومتر × ۵ میکرومتر و ۶۰ درصدی برای میکرو الایدیهای ۱۰ میکرومتر × ۱۰ میهای نسل بعدی بوده است و مزایایی مانند طول عمر طولانی، راندمان انرژی بالا و روشنایی بالا را ارائه میدهد. با فناوری مبتنی بر نقاط کوانتومی، میکرو الایدیها را میتوان در کاربردهایی مختلف استفاده کرد. بهعنوان مثال از آنها میتوان در واقعیت مجازی استفاده کرد، زیرا امکان استفاده از تراشههای تک رنگ، آبی و میکرو الایدیها را فراهم میکنند که منجر به کاهش هزینههای ساخت میشود. مطالعه ما ثابت کرده است که غیرفعالسازی ALD نقش کلیدی در دستگاههای نانومتری آینده بازی میکند.»
وی میافزاید: «فناوری ALD شرکت پیکوسان توسط بسیاری از تولیدکنندگان برجسته LED به اثبات رسیده است. انطباق و یکنواختی عالی فیلمهای ALD و توانایی آنها برای اطمینان از محفظهسازی مطمئن و بدون سوراخ حتی در ضخامتهای فیلم بسیار کم، یک مزیت کلیدی است. علاوه بر این، فرآیند ALD را میتوان در دمای متوسط اجرا کرد.»