به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، پژوهشگران یک ساختار چند پشتهای مبتنی بر مواد دوبعدی ساختند که در آن از لایه دیسولفید تنگستن (WS ۲) استفاده شده است. در این ساختار لایه دیسولفید تنگستن بین لایههای نیترید بور شش ضلعی (hBN) قرار گرفته است که برهمکنش دوربرد بین لایههای WS ۲ متوالی را نشان میدهد که دارای پتانسیل بالا برای کاهش پیچیدگی طراحی مدار و مصرف برق است.
مواد دوبعدی بهدلیل ویژگیهای جالب توجه الکترونیکی خود به مواد محبوب در میان پژوهشگران تبدیل شدهاند و به آنها امکان استفاده از مواد دوبعدی را در حوزههای فتوولتائیک، نیمههادیها و تصفیه آب را میدهد.
پایداری فیزیکی و شیمیایی مواد دوبعدی باعث میشود تا آنها با یکدیگر «انباشته» و «یکپارچه» شوند. از نظر تئوری، این پایداری مواد دوبعدی امکان ساخت ساختارهای دوبعدی مبتنی بر موادی مانند «چاههای کوانتومی» (CQWs) را فراهم میکند.