فیلمهای نازک مبتنی بر هافنیم با ضخامت چند نانومتر، شکل غیرمتعارفی از فروالکتریک را نشان میدهند و این ویژگی به دانشمندان اجازه میدهد تا حافظهها یا دستگاههای منطقی با ابعاد نانومتری بسازند.
به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، فیلمهای نازک مبتنی بر هافنیم با ضخامت چند نانومتر، شکل غیرمتعارفی از فروالکتریک را نشان میدهند. این ویژگی به دانشمندان اجازه میدهد تا حافظهها یا دستگاههای منطقی با ابعاد نانومتری بسازند با این حال، برای محققان مشخص نبود که خاصیت فروالکتریکی میتواند در این مقیاس رخ دهد.
مطالعهای که توسط دانشمندان دانشگاه گرونینگن انجام شده نشان داده است که چگونه اتمها در یک خازن مبتنی بر هافنیم حرکت میکنند. مهاجرت اتمهای اکسیژن (یا حفرهها) مسئول سوئیچ و ذخیرهسازی بار هستند.