332 لایه برای اولین بار؛ شکستن رکورد فشرده‌ترین حافظه NAND دنیا توسط کیوکسیا و سن‌دیسک

در ادامه رقابت برای حجیم‌ترین و سریعترین حافظه‌های ذخیره‌سازی، دو شرکت Kioxia و Sandisk از نسل جدید حافظه سه‌بعدی NAND خود رونمایی کرده‌اند؛ فناوری‌ای که با ۳۳۲ لایه فعال و رابط پرسرعت ۴۸۰۰ MT/s، یکی از مهم‌ترین جهش‌های صنعت فلش در سال‌های اخیر محسوب می‌شود.

وحید علی‌محمدی


در ادامه رقابت برای حجیم‌ترین و سریعترین حافظه‌های ذخیره‌سازی، دو شرکت Kioxia و Sandisk از نسل جدید حافظه سه‌بعدی NAND خود رونمایی کرده‌اند؛ فناوری‌ای که با ۳۳۲ لایه فعال و رابط پرسرعت ۴۸۰۰ MT/s، یکی از مهم‌ترین جهش‌های صنعت فلش در سال‌های اخیر محسوب می‌شود.

نسل جدید BiCS10 حالا تعداد لایه‌های فعال NAND را به ۳۳۲ لایه رسانده است؛ دستاوردی که آن را در میان متراکم‌ترین حافظه‌های فلش سه‌بعدی جهان قرار می‌دهد. البته افزایش لایه‌ها تنها یک رقابت عددی نیست؛ زیرا با پیچیده‌تر شدن ساختار NAND، کنترل سلول‌ها، حفظ کیفیت سیگنال و مدیریت مصرف انرژی نیز دشوارتر می‌شود.

منبع  : شهر سخت افزار

برای مشاهده کامل مطلب کلیک کنید

اشتراک‌گذاری

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *