حمیدرضا زارع
پژوهشگران TSMC و دانشگاه ملی یانگ مینگ چیائو تونگ (NYCU) تایوان راه جدیدی برای ساخت ترانزیستور با مواد دو بعدی پیدا کردهاند. این دستاورد میتواند یکی از بزرگترین موانع بر سر راه ساخت ترانزیستورهای زیر ۱ نانومتری را برطرف کند.
زمانی که طول کانال به محدوده ۳ تا ۵ نانومتر نزدیک میشود، توانایی گیت برای کنترل مؤثر جریان، حتی در ساختارهایی مثل GAA، کاهش پیدا میکند. از سوی دیگر، کاهش ضخامت کانال به کمتر از حدود ۳ نانومتر میتواند باعث تماس بیشتر الکترونها با گیت و در نتیجه افزایش مقاومت شود.