07 / 11 /1404
پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران، متشکل از فرهنگ جلالی فراهانی، رضا ضرغامی و شقایق مرسلی، با بهرهگیری از یک مدل پیشرفته محاسباتی (D-DEM) موفق به شبیهسازی و بررسی فرآیند جداسازی ذرات مغناطیسی از درون یک جریان سیال شدهاند.
به گزارش خبرگزاری آنا، در این مطالعه که نتایج آن در قالب یک مقاله علمی ارائه شده، تأثیر پارامترهای کلیدی مانند شدت میدان مغناطیسی، سرعت جریان سیال و اندازه ذرات بر بازده جداسازی به دقت تحلیل شده است.
فرهنگ جلالی فراهانی، عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی شیمی دانشگاه تهران، در این رابطه اظهار داشت: «یافتههای این تحقیق نشان میدهد که میدان مغناطیسی، بهویژه در ابعاد میکرو و نانو، ابزاری بسیار مؤثر و کنترلپذیر برای جداسازی ذرات است».
استاد دانشکده مهندسی شیمی با اشاره به جزئیات مدل بهکار رفته، توضیح داد: «در این شبیهسازی، میدان مغناطیسی توسط یک منبع دوقطبی خطی در کنار کانال جریان اعمال شد. نتایج به وضوح تجمع و جذب ذرات را در ناحیه مجاور این دوقطبی، به ویژه در قسمت ابتدایی آن، نشان میدهد».