توسعه نانوحسگری برای اندازه‌گیری شدت و جهت میدان مغناطیسی

این حسگر شامل یک لایه نانوساختار از منگانیت برای تشخیص شدت میدان مغناطیسی و یک لایه گرافنی برای تعیین زاویه میان میدان مغناطیسی و سطح حسگر است. این رویکرد دوگانه باعث افزایش حساسیت در محدوده وسیعی از شدت میدان‌های مغناطیسی شده و امکان اندازه‌گیری دقیق اطلاعات جهت‌یابی و موقعیت‌یابی اشیاء را فراهم می‌کند.

این طراحی که مبتنی بر پیکربندی تقسیم ولتاژ است، به‌گونه‌ای بهینه‌سازی شده که حداکثر حساسیت را ارائه دهد.

منبع  : شات ایکس

برای مشاهده کامل مطلب کلیک کنید