محققان ایرانی موفق به کنترل اثر کشش کولونی در مدار‌های نانوالکترونیک شدند

یکی از پژوهشگران ایرانی در تحقیقی توانسته است روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولونی در مدار‌های نانوالکترونیک ارائه دهد.

یکی از پژوهشگران ایرانی در تحقیقی توانسته است روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولونی در مدار‌های نانوالکترونیک ارائه دهد.

به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، فرض کنید دو رسانا داشته باشیم که نزدیک یکدیگر هستند، اما هیچ اتصالی بین آن‌ها برقرار نباشد. با آزمایش‌های دقیق مشاهده شده که اگر یک جریان الکتریکی از یکی از این رسانا‌ها عبور کند، در رسانای مجاور آن یک اختلاف پتانسیل و یا یک جریان الکتریکی ضعیف برقرار می‌شود. به این اثر، کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect) گفته می‌شود. درواقع، علت اصلی این اثر، برهمکنش کولُمبی بین الکترون‌های این دو رسانای نزدیک یکدیگر است.

اثر کشش کولمبی بین نقطه‌های کوانتومی، با توجه به استفاده‌ی فراوان از آن‌ها در نانوالکترونیک، از اهمیت بسزایی برخوردار است. در سال ۲۰۱۶، این اثر در سیستمی شامل دونقطه‌ی کوانتومی که به چهار الکترود فلزی متصل شده بود، مشاهده شد. اما در مسیر دستیابی به شرایط لازم برای مشاهده‌ی این اثر، مشکلات مختلفی از جمله چگونگی مهندسی و ساخت بهینه‌ی این ساختار‌ها برای کنترل اثر کشش کولمبی کماکان مورد بحث و بررسی قرار داشت.

 

منبع  : خبرگزاری دانشجو

برای مشاهده متن کامل خبر کلیک کنید

اشتراک‌گذاری

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *