محققان ایرانی موفق به تقویت و کنترل اثر کشش کولونی در مدار‌های نانوالکترونیک شدند

یکی از پژوهشگران کشور ما در تحقیقی توانسته است روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect)، در نقطه‌های کوانتومی ایجاد کند.

یکی از پژوهشگران کشور ما در تحقیقی توانسته است روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect)، در نقطه‌های کوانتومی ایجاد کند.

محققان ایرانی موفق به تقویت و کنترل اثر کشش کولونی در مدار‌های نانوالکترونیک شدند

به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، فرض کنید دو رسانا داشته باشیم که نزدیک یکدیگر هستند، اما هیچ اتصالی بین آن‌ها برقرار نباشد. با آزمایش‌های دقیق مشاهده شده که اگر یک جریان الکتریکی از یکی از این رسانا‌ها عبور کند، در رسانای مجاور آن یک اختلاف پتانسیل و یا یک جریان الکتریکی ضعیف برقرار می‌شود. به این اثر، کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect) گفته می‌شود. درواقع، علت اصلی این اثر، برهمکنش کولُمبی بین الکترون‌های این دو رسانای نزدیک یکدیگر است.

 اثر کشش کولمبی بین نقطه‌های کوانتومی، با توجه به استفاده‌ی فراوان از آن‌ها در نانوالکترونیک، از اهمیت بسزایی برخوردار است. در سال ۲۰۱۶، این اثر در سیستمی شامل دونقطه‌ی کوانتومی که به چهار الکترود فلزی متصل شده بود، مشاهده شد.

 

منبع  : خبرگزاری دانشجو

برای مشاهده متن کامل خبر کلیک کنید

اشتراک‌گذاری

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *