29 / 10 /1404
به گزارش خبرگزاری آنا، حامد دانشوردانش آموخته دکتری دانشگاه صنعتی امیرکبیر و مجری طرح «مدل سازی و تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده توان با ترانزیستور گسسته در محفظه شیلد روزنه دار» با بیان اینکه تقویت کننده توان یکی از بخش های اصلی هر تجهیز مخابراتی است، افزود: تأثیرپذیری الکترومغناطیسی این تقویت کننده یکی از مسائل مهم در عملکرد این تجهیزات است.
وی خاطر نشان کرد: پژوهش های انجام شده در این حوزه، عملکرد کل مدار تقویت کننده تحت تابش میدان های الکتریکی مجاور آن را به صورت همزمان مورد تحلیل قرار نمی دهند. در این پژوهش، عملکرد کل مدار تقویت کننده توان تحت تابش میدان الکتریکی در یک محفظه شیلد روزنه دار به صورت تمام موج تحلیل شد.
به گفته محقق دانشگاه صنعتی امیرکبیر، برای انجام این پژوهش، ابتدا یک تقویت کننده توان با مشخصات موردنظرطراحی گردید و سپس این تقویت کننده برای کاهش اثرات میدان های تابشی مجاور درون یک محفظه شیلد روزنه دار قرار گرفت.