در تحقیقی جدید مهندسان از میدانهای الکتریکی برای ایجاد مدارهایی با عملکرد بالا و فراتر از محدودیتهایی که در نتیجه استفاده از سیلیکون به وجود میآید، استفاده کردند.
به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، به نقل از اینترستینگ انجینرینگ، ترانزیستورها بلوکهای سازنده بنیادین برای منطق دیجیتال هستند که اکنون با اندازه چند اتم ساخته میشوند. ساخت ترازیستورهای سیلیکونی معمول در چنین مقیاس کوچکی با چالشهای زیادی روبهرو است از جمله آنکه حکاکی چنین ویژگیهای ریزی میتواند منجر به تداخلهای الکتریکی، نشت جریان و فرآیندهای ساخت پیچیدهای شود که حفظ آنها بهطور فزایندهای دشوار است.
استراتژی چند دههای فشردن تعداد بیشتر ترانزیستورها در یک ناحیه یکسان از تراشه به سرعت به محدودیتهای عملی خود نزدیک میشود و روشهای مرسوم ممکن است دیگر نتوانند ارتقاینیمه مداوم عملکرد را تضمین کنند.