چهارشنبه 12 آذر 1404 – 14:35
تراشههای کلاس ۲ نانومتر
این پتنت که در اصل در سال ۲۰۲۲ ثبت شده اما اخیراً عمومی شد و توسط پژوهشگر باسابقه صنعت نیمههادی، دکتر فردریک چن، مشاهده شد، تکنیک چندالگوسازی پیچیدهای را توصیف میکند که میتواند به هواوی و شریک تولیدیاش، SMIC، اجازه دهد به فاصله فلزی بسیار دقیق ۲۱ نانومتر دست یابند؛ ابعادی که تراشههای تولیدی را در کلاس «۲ نانومتر» قرار میدهد، مشابه فرآیندهایی که TSMC و سامسونگ در حال آمادهسازی آن هستند و عمدتاً به لیتوگرافی EUV وابستهاند.
با فشار آوردن به زیرساختهای موجود DUV تا حد نهایی، این شرکت قصد دارد مستقیماً از تراشه تازه رونماییشده Kirin 9030 (ساخته شده در گره N+3 شرکت SMIC) به نسل آینده تراشههای ۲ نانومتری برسد، بدون اینکه از ابزارهای محدود شده EUV استفاده کند.
برای مشاهده کامل مطب کلیک کنید
